图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:0 |
|
最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
| 规格书 |
 |
| 文档 |
Multiple Devices 24/Jan/2011 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Product Obsolescence 24/Jan/2011 |
| 标准包装 | 75 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 9A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 9 mOhm @ 30A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 13nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1456pF @ 12V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3IPAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 25 V |
| 最大连续漏极电流 | 11.5 A |
| RDS -于 | 9@11.5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 12.3|7 ns |
| 典型上升时间 | 21.3|22.7 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 15.1|25.3 ns |
| 典型下降时间 | 5.3|2.8 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| 标准包装名称 | TO-251 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Rail |
| 最大漏源电阻 | 9@11.5V |
| 最大漏源电压 | 25 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | IPAK |
| 最大功率耗散 | 1300 |
| 最大连续漏极电流 | 11.5 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 9.6A (Ta), 58A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| 供应商设备封装 | I-Pak |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 9 mOhm @ 30A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 标准包装 | 75 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1456pF @ 12V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 13nC @ 4.5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 11.5 A |
| 正向跨导 - 闵 | 9 S |
| 安装风格 | Through Hole |
| RDS（ON） | 9 mOhms |
| 功率耗散 | 2 W |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
NTD4809NA-35G也可以通过以下分类找到
NTD4809NA-35G相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家